Giới thiệu IGBT
Standavietnam
Giới thiệu IGBT Transistor có cực điều khiển cách ly(Insulated Gate Bipolar Transistor),hay IGBT là một linh kiện bán dẫn công suất 3 cực được phát minh bởi Hans W. Beck và Carl F. Wheatley vào năm 1982.IGBT kết hợp khả...
Đọc tiếp
